配资台存储芯片行业将迎来“超级周期” 涨价潮持续发酵

近期，多国芯片巨头上调产品报价。过去半年，全球存储芯片价格持续上涨，特别是最近一个月配资台，涨价消息越发密集。

三星电子在9月下旬发出第四季度提价通知，计划将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。NAND闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价，价格涨幅约10%。西部数据也在9月16日通知客户将逐步提高所有HDD产品的价格。9月上旬，闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的NAND产品价格上调10%以上。

涉及涨价的存储芯片种类大致涵盖DRAM与NAND两种类型。DRAM是一种易失性半导体储器，读取速度快但断电后数据消失；NAND属于非易失性存储，断电后数据仍能稳定留存，常用于存放海量数据和模型参数，如SSD、HDD等。

摩根士丹利最新研报预测，人工智能热潮下，存储芯片行业将迎来一个“超级周期”。OpenAI与三星电子、SK海力士达成初步供货协议，两家韩国公司将为“星际之门”项目供应存储芯片。韩国总统办公室表示，OpenAI计划在2029年订购90万片存储芯片晶圆。SK海力士指出，这一需求预测是目前全球高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍多，凸显了“星际之门”项目规模之大及全球人工智能发展速度。

在DRAM、HBM普遍昂贵且供给紧张的情况下，NAND有望成为AI时代新一轮主流存储选择。三星电子已着手开展HBF高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，使用NAND闪存代替DRAM。韩国科学技术院教授金正浩指出，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。

摩根士丹利预计，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。群联电子董事长潘健成表示，SSD将成为大容量存储的主流选择，但由于SSD新增容量不足，预期2026年起NAND闪存将严重短缺，未来十年供应都将紧张。

目前，NAND Flash价格涨幅已反超DRAM。据CFM闪存市场报价，2025年第三季度，NAND Flash市场综合价格指数上涨5%，DRAM市场综合价格指数上涨19.2%。9月单月来看，NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%，DRAM市场综合价格指数上涨2.6%。

TrendForce预计25Q4 NAND Flash价格将上涨5-10%。中信证券认为配资台，后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期，2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长。

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